一般来说，陶瓷电容器和高频电容器非常相似。实际上，它们之间存在着频率差。在高稳定振荡电路中，采用电容温度系数小的陶瓷电容器作为回路和垫电容器。高频陶瓷电容器是由适合喷涂的特殊混合物制成的。陶瓷电容器主要针对高频。随着科学技术的发展，高频和陶瓷电容器得到了广泛的应用，选择质量好、安全可靠的高频和陶瓷电容器是非常重要的。 陶瓷电容器和高频电容器非常相似，实际上，它们之间存在着频率差。高频电容器是陶瓷的。陶瓷电容器是由高介电常数的陶瓷（钛酸钡钛氧化物）挤压成管、盘或盘作为介质，用烧结浸渗法在陶瓷表面镀银作为电极。又分为高频和低频。 在高稳定振荡电路中，采用电容温度系数小的陶瓷电容器作为回路和垫电容器。低频陶瓷电容器 于低频电路中的旁路或直流隔离，或在稳定性和损耗要求不高的地方。这些不适合在脉冲电路中使用，因为它们容易被脉冲电压击穿。 高频陶瓷电容器是由适合喷涂的特殊混合物制成的。电介质与银电极烧结形成“整体”结构。高频陶瓷电容器适用于高频电路的云母电容器。从结构上可分为箔式和镀银型。银电极是通过真空蒸发或燃烧浸渗直接在云母上沉积银层而制成的。由于消除了气隙，温度系数大大降低，电容稳定性比箔式电极高。

一般来说，大容量主要用于滤波，速度不是很快，但要求电容值很大。当励磁涌流较小时，用钽电容器代替铝电解，尽可能将一个管脚接在电路上。如果容量不够，可以使用钽电容器或铝电解。如果滤波电路同时使用电解、钽电容器和陶瓷电容器，请将离电源近的电解放在断电位置，这样可以保护钽电容器。陶瓷电容器置于钽电容器的后面。 一般来说，大容量主要用于滤波，速度不是很快，但要求容值很大。一般使用铝电解。当励磁涌流较小时，用钽电容器代替铝电解。从上面的例子可以看出，作为去耦电容器，它必须有快速的响应速度才能达到效果。如果电容器的芯片是指电容器，则应尽可能将电容器的一个管脚接在电路上。如果“局部电路a”指功能模块，则可使用陶瓷电容器。如果容量不够，可以使用钽电容器或铝电解（只要功能模块中的每个芯片都有去耦陶瓷电容器）。滤波电容器的容量可以从开关电源芯片的数据手册中计算出来。如果滤波电路同时使用电解、钽电容器和陶瓷电容器，请将离电源近的电解放在断电位置，这样可以保护钽电容器。陶瓷置于钽电容器的后面。这样可以获得佳的滤波效果。 去耦电容器需要满足两个要求，一是容量要求，二是ESR要求。换言之，一个0.1uF的去耦效果不如两个0.01uF。此外，0.01uF在高频段具有较低的阻抗。如果0.01uF能满足这些频段的容量需求，它将比0.1uF具有更好的去耦效果。 例如，一个超过500个引脚的BGA封装需要至少30个陶瓷电容器和几个总容量超过200uf的大电容器。