一般来说，大容量主要用于滤波，速度不是很快，但要求电容值很大。当励磁涌流较小时，用钽电容器代替铝电解，尽可能将一个管脚接在电路上。如果容量不够，可以使用钽电容器或铝电解。如果滤波电路同时使用电解、钽电容器和陶瓷电容器，请将离电源近的电解放在断电位置，这样可以保护钽电容器。陶瓷电容器置于钽电容器的后面。 一般来说，大容量主要用于滤波，速度不是很快，但要求容值很大。一般使用铝电解。当励磁涌流较小时，用钽电容器代替铝电解。从上面的例子可以看出，作为去耦电容器，它必须有快速的响应速度才能达到效果。如果电容器的芯片是指电容器，则应尽可能将电容器的一个管脚接在电路上。如果“局部电路a”指功能模块，则可使用陶瓷电容器。如果容量不够，可以使用钽电容器或铝电解（只要功能模块中的每个芯片都有去耦陶瓷电容器）。滤波电容器的容量可以从开关电源芯片的数据手册中计算出来。如果滤波电路同时使用电解、钽电容器和陶瓷电容器，请将离电源近的电解放在断电位置，这样可以保护钽电容器。陶瓷置于钽电容器的后面。这样可以获得佳的滤波效果。 去耦电容器需要满足两个要求，一是容量要求，二是ESR要求。换言之，一个0.1uF的去耦效果不如两个0.01uF。此外，0.01uF在高频段具有较低的阻抗。如果0.01uF能满足这些频段的容量需求，它将比0.1uF具有更好的去耦效果。 例如，一个超过500个引脚的BGA封装需要至少30个陶瓷电容器和几个总容量超过200uf的大电容器。

单石电容和陶瓷芯片电容属于陶瓷电容，它们的区别是：单石电容是多层陶瓷电容的替代名称，单石电容由多层介质和多对电极组成，而陶瓷芯片电容一般由一层介电层和一对电极组成，陶瓷电容分为高频陶瓷介质和低频陶瓷介质。陶瓷电容的特点是：体积小，高频特性好；耐压比单石电容高；容量小，大值只有0.1uF；价格比单石电容低。由于单石电容和陶瓷芯片电容的特性不同，单石电容的应用寿命不一样。 高压陶瓷电容器的使用主要分为输变电、配电系统电源设备和脉冲能量处理设备。 单石电容和陶瓷芯片电容属于陶瓷电容，它们的区别是：单石电容是多层陶瓷的替代名称，由多层介质和多对电极组成，而陶瓷芯片电容一般由一层介电层和一对电极组成，分为高频陶瓷介质和低频陶瓷介质。 外形上的区别是单石电容实际上是烧结的陶瓷片式，一般为方形，陶瓷片状电容主要是片状；在相同体积下，单个石材的容量大得多，陶瓷芯片的电压电阻比单石大得多。 单石的特点是：容量大，稳定性好，容量范围为10pF≤10uF，体积小，比CBB体积小，耐高温保湿性能好，温度漂移系数小。 陶瓷的特点是：体积小，高频特性好；耐压比单石高；容量小，大值只有0.1uF；价格比单石低。 由于单石和陶瓷芯片的特性不同，单石的应用寿命不一样，主要应用于液晶表、电子相机、微型仪器、医疗仪器、电子调谐器等领域，而陶瓷芯片的应用主要集中在高频振荡电路、旁路和解耦等方面。