前国内大多数电容器都是按照以下图形直接在外壳上标记，如标称容量、电压电阻、误差等级等，称为"直接标记法"。有时单位符号也可以省略，这规定，如果容量用小数点表示，省略的单位应该是微的；是整数，单位是皮肤。例如，电容器的额定容量为"0.01μF"，通常标记为".01μF"。例如，电容器标有字104K，这意味着电容为0.1μF，误差为±10（百分比）。，例如，"339"表示33×101pF，即3.3pF。可以看出，当三位数为"9"电容时，其容量必须为1~9.9pF。 目前国内大多数电容器都是按照以下图形直接在外壳上标记，如标称容量、电压电阻、误差等级等，称为"直接标记法"。有时单位符号也可以省略，这规定，如果容量用小数点表示，省略的单位应该是微的(如果是μF)；是整数，单位是皮肤(PF)。对于几种到数千种微方法的大容量电容器，不允许省略标准印刷单元。此外，如果容量为几个零，则通常保存整数位的"0"。例如，电容器的额定容量为"0.01μF"，通常标记为".01μF"。 对于小型电容器，使用"直接标记法"显然很困难，事实上，国内外生产的电容器规格数字标记方法有很多种，其中国际电工委员会推荐的"数字符号法"是常见的，其具体规则是使用2-4位数和一个字母来表示电容。 数字代表有效值，字母代表数值的数量级，即p表示皮肤法(10F)，n表示纳米法(10？(F)，战斗表征微观方法(10？(F)，m指毫米法(103F)。同时，该字母还表示小数点的位置，例如1.5pF的1p5和4.7pf的μ7，电容误差也用字母表示。其含义为：F=±1（百分比），G=±2（百分比），J=±5（百分比），K=±10（百分比），L=±15（百分比），M=±20（百分比），N=±30（百分比）等。通过仔细的比较，读者可以尽快掌握法律的要义，达到从一个事物指向另一个事物的效果。 目前，也有一种"数字标记法"，这也是非常普遍的。它的规则是，数字通常是3位，从左开始，一位和二位是有效数字，三位是乘数位，表示"0"后面跟着有效数。数字标记方法的容量单位是皮革(PF)。例如，电容器标有字104K，这意味着电容为0.1μF，误差为±10（百分比）。不要认为它是一个104K的Ω电阻。下图显示了两个数字标记示例。还应该指出，如果三个位是"9"，则乘法器是101而不是10？，例如，"339"表示33×101pF，即3.3pF。可以看出，当三位数为"9"电容时，其容量必须为1~9.9pF。

包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器。高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。 在晶粒发育良好的BaTiO3半导体陶瓷表面，在BaTiO3半导体陶瓷表面涂覆适当的金属氧化物（如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等），并在适当温度下在氧化条件下进行热处理。包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。薄的固溶体绝缘层的电阻率很高（高达10-1013Ω·cm）。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器（BL电容器）。 高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸钡基陶瓷具有介电系数高、交流耐压性能好等优点，但也存在电容变化率随介质温度升高而增大、绝缘电阻减小等缺点。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。它是顺电的，不存在自发极化现象。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。