包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器。高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。 在晶粒发育良好的BaTiO3半导体陶瓷表面，在BaTiO3半导体陶瓷表面涂覆适当的金属氧化物（如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等），并在适当温度下在氧化条件下进行热处理。包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。薄的固溶体绝缘层的电阻率很高（高达10-1013Ω·cm）。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器（BL电容器）。 高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸钡基陶瓷具有介电系数高、交流耐压性能好等优点，但也存在电容变化率随介质温度升高而增大、绝缘电阻减小等缺点。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。它是顺电的，不存在自发极化现象。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。

安全电容器的箱体结构具有较好的阻燃性和密封性能。但CBB22基本上是浸没式，很好地解决了密封问题。MKP是台湾系列或韩国系列电容器厂常用的命名方法。在中国相应的名称是CBB62，也被称为安全代码x电容器。台湾系列或韩国系列对应的CBB22规格为MPP电容器，为普通型薄膜电容器，一般无安全认证。 MPK电容器常被称为抗干扰电容器。在实际应用中，有些人往往无法区分CBB电容器和MPK电容器的区别。从封装、应用、电性能差异、效率等方面全面介绍了CBB电容器与MPK电容器的区别。 安全电容器与CBB22电容器的主要区别在于外密封方式。安全电容器的箱体结构具有较好的阻燃性和密封性能。但CBB22基本上是浸没式，很好地解决了密封问题。 CBB22系列产品有的采用铝膜生产，有的采用锌铝膜生产。锌铝膜电容器的电性能与安全规程中的相似。具有较强的直流耐压能力。铝膜结构产品的特点是损耗小于锌铝膜，高频交流耐压能力强，但直流耐压能力不如锌铝膜。 CBB22在成本上低于MKP，在电气性能上可以替代MKP。交流功率计算公式如下：P=u*u/XC=u*u/（1/2πFC）。U为交流电压有效值，XC为电容电抗，f为交流电压U对应的频率，C为容量。MKP电容器主要用于EMI进线滤波，CBB电容器主要用于振荡、耦合、阻容降压电路；CBB22成本低于MKP，在电气性能方面，在满足实际直流耐压的条件下，可以替代MKP。 MKP是台湾系列或韩国系列电容器厂常用的命名方法。在中国相应的名称是CBB62，也被称为安全代码x电容器。安全规程分为x1、X2和X3，其中X2是传统的系列，并已通过许多国家的认证。台湾系列或韩国系列对应的CBB22规格为MPP电容器，为普通型薄膜电容器，一般无安全认证。