包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器。高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。 在晶粒发育良好的BaTiO3半导体陶瓷表面，在BaTiO3半导体陶瓷表面涂覆适当的金属氧化物（如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等），并在适当温度下在氧化条件下进行热处理。包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。薄的固溶体绝缘层的电阻率很高（高达10-1013Ω·cm）。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器（BL电容器）。 高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸钡基陶瓷具有介电系数高、交流耐压性能好等优点，但也存在电容变化率随介质温度升高而增大、绝缘电阻减小等缺点。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。它是顺电的，不存在自发极化现象。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。

电容是一种储能元件，它不同于电阻，金属电极上有大量电荷形成电位差，即电容具有一定的电压。电容用C表示，单位为F、UF、NF、PF。某一频带内的信号被从总信号中移除。大电容滤波低频，小电容滤波高频。一些网民将过滤电容比作"池塘"。它将电压的变化转化为电流的变化，频率越高，峰值电流越大，从而缓冲电压。 电容是一种储能元件，它不同于电阻，金属电极上有大量电荷形成电位差，即电容具有一定的电压。电容用C表示，单位为F、UF、NF、PF。 电容计算通用公式 C=Q/U(q是夹在库仑金属电极板上的电荷的 值)电容的特点是：直流不允许通过，交流可以通过。电容器上的电压不能突变：电压是电荷的累积，电荷的积累需要时间，所以电压不能突变。 储能电容器通过整流器收集电荷，通过转换器引线将存储的能量传输到电源的输出端。额定电压为40~450VDC，电容在220~1500uF之间的铝电解电容器(如EPCOS公司的B43504或B43505)更常用。根据不同的功率要求，该装置有时采用串联、并联或组合的形式。对于功率电平超过10KW的电源，大容量储罐螺旋电容器的电解电容通常分为正极和负极，应注意这一点。