贴片电容介质是以COG/NPO为I类介质的高频电容器，其温度系数为±30ppm/℃，电容量十分安稳，几乎不随温度、电压和时刻的变化而变化，首要应用于高频电子线路，如振荡、计时电路等;其容量精度首要为±5，以及在容量低于10pF时，可选用B档(±0.1pF)、C档(±0.25pF)、D档(±0.5pF)三种精度。 以X7R为II类介质的中频电容器，其温度系数为±15，电容量相对安稳，适用于各种旁路、耦合、滤波电路等，其容量精度首要为K档(±10)。特殊情况下，可提供J档(±5)精度的产品。 不同品种的电容器，更高使用频率不同。小型云母电容器在250MHZ以内;圆片型瓷介电容器为300MHZ;圆管型瓷介电容器为200MHZ;圆盘型瓷介可达3000MHZ;小型纸介电容器为80MHZ;中型纸介电容器只要8MHZ。 以Y5V为III类介质的低频电容器，其温度系数为：+30～-80，电容量受温度、电压、时刻变化较大，一般只适用于各种滤波电路中。其容量精度首要为Z档(+80～-20)，也可挑选±20精度的产品。 贴片电容 贴片电容介质强度表征的是介质资料接受高强度电场效果而不被电击穿的能力,通常用伏特/密尔(V/mil)或伏特/厘米(V/cm)表明.当外电场强度到达某一临界值时,资料晶体点阵中的电子克服电荷康复力的捆绑并出现场致电子发射,发生出足够多的自由电子彼此磕碰导致雪崩效应,从而导致突发击穿电流击穿介质,使其失效.除此之外,介质失效还有另一种形式,高压负荷下发生的热量会使介质资料的电阻率降低到某一程度,如果在这个程度上延续足够长的时刻,将会在介质单薄的部位上发生漏电流.这种形式与温度密切相关,介质强度随温度进步而下降。

钛酸钡基陶瓷具有介电系数高、交流电压电阻好等优点，但也有一些缺点，如电容随介电温度的升高而增大，绝缘电阻减小等。封装材料的选择、封装工艺的控制和陶瓷表面的清洗处理对电容器的性能有很大的影响，因此有必要选择具有良好耐湿性、与瓷体表面紧密结合、电性能高的密封材料。目前，大多数环氧树脂的选择、少数产品也选用酚醛树脂进行封装。还有绝缘涂料的使用，再加上酚醛树脂的封装方法，这对降低成本具有一定的意义。 钛酸钡基陶瓷具有介电系数高、交流电压电阻好等优点，但也有一些缺点，如电容随介电温度的升高而增大，绝缘电阻减小等。 高压陶瓷电容器制造的关键五点是原料的选择和影响高压陶瓷电容器质量的因素，除了陶瓷材料的组成外，优化工艺制造和严格的工艺条件也是非常重要的。因此，有必要考虑原料的成本和纯度，在选择工业纯原料时，必须注意原材料的适用性。 熔块的制备质量对陶瓷的球磨细度和烧成有很大的影响。如果熔块的合成温度低，则合成不够充分，不利于后续加工。例如，合成材料中的Ca2+残留量会阻碍膜的轧制过程：如果合成温度过高，熔块太硬，则会影响球磨效率：研磨介质中杂质的引入会降低粉末活性，导致陶瓷零件烧成温度的升高。 在成型时，必须防止厚度方向压力不均匀，坯体上有太多密闭孔，如果有大孔洞或剥落，会影响瓷体的强度。烧成过程应严格控制烧成系统，采用优良的温控设备和具有良好导热性能的窑具。 封装材料的选择、封装工艺的控制和陶瓷表面的清洗处理对电容器的性能有很大的影响，因此有必要选择具有良好耐湿性、与瓷体表面紧密结合、电性能高的密封材料。目前，大多数环氧树脂的选择、少数产品也选用酚醛树脂进行封装。还有绝缘涂料的使用，再加上酚醛树脂的封装方法，这对降低成本具有一定的意义。粉末封装技术是大型生产线中常用的粉末封装技术。