电容C由TVS雪崩结的横截面决定，并在1MHz的特定频率下测量。C的大小与TVs的当前承载能力成正比。如果C太大，信号将衰减。因此，在数据接口电路中，C是TVs的一个重要参数。PM是TVS能承受的大峰值脉冲耗散功率。有关电视规定的测试脉冲波形和PM值，请参阅相关产品手册。此外，TVS所能承受的瞬态脉冲不会重复出现。TVs主要用于电路元件的快速过电压保护。它可以吸收几千瓦的“浪涌”信号。能有效保护雷电、负荷开关等引起的过电压冲击。 电容C由TVS雪崩结的横截面决定，并在1MHz的特定频率下测量。C的大小与TVs的当前承载能力成正比。如果C太大，信号将衰减。因此，在数据接口电路中，C是TVs的一个重要参数。 PM是TVS能承受的大峰值脉冲耗散功率。有关电视规定的测试脉冲波形和PM值，请参阅相关产品手册。在给定的大箝位电压下，功耗PM越大，浪涌电流承受能力越大；在给定功耗PM下，钳位电压VC越低，浪涌电流承受能力越大。此外，峰值功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。此外，TVS所能承受的瞬态脉冲不会重复出现。装置规定的脉冲重复频率（持续时间与间歇时间之比）为0.01（百分比）。如果电路中出现重复脉冲，应考虑脉冲功率的“积累”，这可能会损坏电视机。 TC是从零到小击穿电压VBR的时间。单极电视小于1×10-秒，双极电视小于1×10-11秒。

陶瓷电容器是一种以陶瓷材料为介质，在陶瓷表面涂覆一层金属膜，然后在高温下烧结而成的。它通常用于高稳定振荡回路、旁路和垫圈电容器。两种不同类型的规格识别可直接由电容器或电路来判断。一般来说，它能承受高压、绝缘性好、可靠性更高，适用于高压电路，属于高频陶瓷。与低频陶瓷相比，低频陶瓷的可靠性和成本相对较低，大多数用于低频电路和耦合电路等电容器中。 陶瓷电容器是一种以陶瓷材料为介质，在陶瓷表面涂覆一层金属膜，然后在高温下烧结而成的电容器。它通常用于高稳定振荡回路、旁路电容器和垫圈电容器。 高频陶瓷介具有较小的正温度系数，用于高稳定振荡电路中作为回路电容器和缓冲电容器。低频陶瓷介电电容器 于低工作频率电路中的旁路或直流隔离，或者当稳定性和损耗要求不高时，包括高频。这种电容器不适用于脉冲电路，因为它们很容易被脉冲电压破坏。 高频陶瓷一般主要应用于高稳定振荡电路中，因此其稳定性要求较高，例如比较常见的耦合电容器和高压旁路都会选用高频陶瓷电容器。重要的优点是它能够承受高温和耐磨性，比如日常生活中常见的电视接收机都会使用高压陶瓷电容器。 低频陶瓷电容器主要用于一些工作频率较低的电路中。在这类电路中，电容器的稳定性和损耗程度往往不是很高。特别是在一些脉冲强的电路中，不能使用低频陶瓷电容器，否则很可能会被电压直接破坏。 两种不同类型的陶瓷芯片电容规格识别可直接由电容器或电路来判断。一般来说，它能承受高压、绝缘性好、可靠性更高，适用于高压电路，属于高频陶瓷芯片电容。与低频陶瓷电容器相比，低频陶瓷电容器的可靠性和成本相对较低，大多数用于低频电路和耦合电路等电容器中。