陶瓷电容器是以陶瓷材料为介质，在陶瓷表面镀上一层金属膜，经高温烧结而成的电容器。在高稳定度振荡电路中，通常用作回路、旁路电容和垫电容。陶瓷板电容器可分为高频瓷介质和低频瓷介质两类。低频瓷电容器 于在工作频率较低的电路中进行旁路或直流隔离，或在稳定性和损耗要求较低的情况下。这种电容器很容易被脉冲电压击穿，不适合用于脉冲电路。是温度补偿型NPO介质，它的电学性能稳定，不随温度、电压和时间的变化而变化。 陶瓷电容器是以陶瓷材料为介质，在陶瓷表面镀上一层金属膜，经高温烧结而成的电容器。在高稳定度振荡电路中，通常用作回路、旁路电容和垫电容。陶瓷板电容器可分为高频瓷介质和低频瓷介质两类。在高稳定振荡电路中，采用正电容温度系数小的电容器作为回路电容器和垫电容器。低频瓷电容器 于在工作频率较低的电路中进行旁路或直流隔离，或在稳定性和损耗要求较低的情况下（包括高频）。这种电容器很容易被脉冲电压击穿，不适合用于脉冲电路。 其优点是稳定、绝缘性好、耐高压。劣势容量相对较小。单石电容器是多层陶瓷电容器的一个特殊名称。英文名称是单核细胞陶瓷电容器或多层陶瓷电容器，或M。根据所用材料的不同，可分为三类。 是温度补偿型NPO介质，它的电学性能稳定，不随温度、电压和时间的变化而变化。它是超稳定、低损耗的电容器材料类型，适用于对稳定性和可靠性要求高的高频、特高频和甚高频电路。

高初始导磁率(这个是共模电感器的基本要求)、高饱和磁感应强度、温度较之铁氧体稳定(可以理解为温升小)，频率特性比较灵活，因为导磁率高，很小就可以做出很大的感量，适应频率比较宽;整体优势: 因为初始导磁率是铁氧体的5-20倍，对传导干扰的抑制作用远大于铁氧体;纳米晶的高饱和磁感应强度比铁氧体的好，所以在大电流下不易饱和;温升较之UF系列的要低，某人实际测试:室温下要低将近10度(个人测试值仅作参考);结构上的灵活令其适应性好，从加工工艺上进行改变，即可适应不同需求(见过节能灯上用的磁环电感，使用相当灵活);分布电容会更小，因为绕线的面积更宽，体积也相对较小;环行所用匝数少一点，分布参数小一点，效率占优(针对具体进行分析，可能是因为线径的缘故，望补充)。