半导体材料本身的功能特性

半导体材料是一种具有半导体特性的电子材料，用于制备半导体器件。重要的导电机理是由电子和空穴载流子实现的，因此存在N和P类型。通常具有一定的带隙，其电性能容易受到外界条件的影响。通过添加特定的杂质制备不同的导电材料。杂质对材料的性能有很大的影响，大部分是晶体材料，半导体器件对材料的晶体完整性有很高的要求。 半导体材料是一种具有半导体特性的电子材料，用于制备半导体器件。重要的导电机理是由电子和空穴载流子实现的，因此存在N和P类型。半导体材料通常具有一定的带隙，其电性能容易受到外界条件(如光、温度等)的影响。通过添加特定的杂质制备不同的导电材料。杂质(特别是快速扩散杂质和深能级杂质)对材料的性能有很大的影响。 因此，半导体材料应具有较高的纯度，这不仅要求用于生产的原料具有相当高的纯度，而且还需要超清洁的生产环境，以尽量减少生产过程中的杂质污染。半导体材料大部分是晶体材料，半导体器件对材料的晶体完整性有很高的要求。此外，对材料各项电气参数的均匀性也有严格的要求。 半导体材料是一种在室温下导电介于导电材料和绝缘材料之间的功能材料，其电导率由电子和空穴载流子实现，室温下的电阻一般在10-5~107欧姆之间，通常电阻随温度的升高而增大，如果加入或辐照活性杂质，电阻可改变几个数量级。 此外，半导体材料的导电性对外界条件的变化(如热、光、电、磁等因素)非常敏感，根据这些条件，可以制造各种敏感元件以进行信息转换。 半导体材料的特征参数是带隙、电阻、载流子迁移率、非平衡载流子寿命和位错密度。带隙由半导体的电子态和原子构型决定，它反映了组成材料的原子中价电子从束缚态激发到自由态所需的能量。电阻和载流子迁移率反映了材料的电导率。

压敏电阻的参数与属性

与压敏电阻器电压相对应的电流称为试验电流，通常指定为直流1mA。在规定的温度范围和规定的脉冲电流条件下，当压敏电阻器内的温度变化1℃时，电压的相对变化百分比称为电压温度系数。根据规定的时间间隔和次数，在对压敏电阻器施加规定的标准电流波形冲击后，当压敏电阻器电压变化率小于或等于技术条件规定的值时，通过的大电流值称为浪涌电流容量，简称流量。 与压敏电阻器电压相对应的电流称为试验电流，通常指定为直流1mA。当压敏电阻器通过指定的电流时，直流电压降与压敏电阻器电压的比值称为电压比。在规定的温度范围和规定的脉冲电流条件下，当压敏电阻器内的温度变化1℃时，电压的相对变化百分比称为电压温度系数。 根据规定的时间间隔和次数，在对压敏电阻器施加规定的标准电流波形冲击后，当压敏电阻器电压变化率小于或等于技术条件规定的值时，通过的大电流值称为浪涌电流容量，简称流量。在规定的时间内(8μs/20μs)，允许脉冲电流的大值。脉冲电流从大值的90（百分比）到大值的时间为8μs，峰值持续时间为20μs。 冲击试验前后压敏电阻电压的相对变化率称为电压变化率。该公式的电位电压变化率为[(U1-U2)×100（百分比）。公式中U1和U2分别是试验前后的电压。 当元件两端的电压等于指定电流两端电压的75（百分比）时，通过压敏电阻器的直流电流称为漏电流。在指定的环境温度下，压敏电阻器的负载功率称为额定功率。压敏电阻器两极之间的电荷与施加给它的电压之比。当压敏电阻器通过脉冲电流时，压敏电阻器两端的峰值电压称为剩余电压。剩余电压比η是压敏电阻器的剩余电压值与压敏电阻器电压U1mA的比值。 压敏电阻器不是一般意义上的电阻，它是由绝缘膜组成，以隔离金属氧化物(如氧化锌)颗粒。MOV(MetalOxideVaristor)在低压下具有很大的电阻和很小的漏电流。当电压增加时，绝缘膜在压敏电阻器中变成导体，电压略有增加，电流急剧增大，这与稳压器的击穿特性相似，并能承受很大的瞬时功率。