陶瓷电容的制造工艺

钛酸钡基陶瓷具有介电系数高、交流电压电阻好等优点，但也有一些缺点，如电容随介电温度的升高而增大，绝缘电阻减小等。封装材料的选择、封装工艺的控制和陶瓷表面的清洗处理对电容器的性能有很大的影响，因此有必要选择具有良好耐湿性、与瓷体表面紧密结合、电性能高的密封材料。目前，大多数环氧树脂的选择、少数产品也选用酚醛树脂进行封装。还有绝缘涂料的使用，再加上酚醛树脂的封装方法，这对降低成本具有一定的意义。 钛酸钡基陶瓷具有介电系数高、交流电压电阻好等优点，但也有一些缺点，如电容随介电温度的升高而增大，绝缘电阻减小等。 高压陶瓷电容器制造的关键五点是原料的选择和影响高压陶瓷电容器质量的因素，除了陶瓷材料的组成外，优化工艺制造和严格的工艺条件也是非常重要的。因此，有必要考虑原料的成本和纯度，在选择工业纯原料时，必须注意原材料的适用性。 熔块的制备质量对陶瓷的球磨细度和烧成有很大的影响。如果熔块的合成温度低，则合成不够充分，不利于后续加工。例如，合成材料中的Ca2+残留量会阻碍膜的轧制过程：如果合成温度过高，熔块太硬，则会影响球磨效率：研磨介质中杂质的引入会降低粉末活性，导致陶瓷零件烧成温度的升高。 在成型时，必须防止厚度方向压力不均匀，坯体上有太多密闭孔，如果有大孔洞或剥落，会影响瓷体的强度。烧成过程应严格控制烧成系统，采用优良的温控设备和具有良好导热性能的窑具。 封装材料的选择、封装工艺的控制和陶瓷表面的清洗处理对电容器的性能有很大的影响，因此有必要选择具有良好耐湿性、与瓷体表面紧密结合、电性能高的密封材料。目前，大多数环氧树脂的选择、少数产品也选用酚醛树脂进行封装。还有绝缘涂料的使用，再加上酚醛树脂的封装方法，这对降低成本具有一定的意义。粉末封装技术是大型生产线中常用的粉末封装技术。

陶瓷介电电容器的陶瓷材料

包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器。高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。 在晶粒发育良好的BaTiO3半导体陶瓷表面，在BaTiO3半导体陶瓷表面涂覆适当的金属氧化物（如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等），并在适当温度下在氧化条件下进行热处理。包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。薄的固溶体绝缘层的电阻率很高（高达10-1013Ω·cm）。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器（BL电容器）。 高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸钡基陶瓷具有介电系数高、交流耐压性能好等优点，但也存在电容变化率随介质温度升高而增大、绝缘电阻减小等缺点。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。它是顺电的，不存在自发极化现象。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。