陶瓷电容器可分为低压小功率和高压大功率，低压和低功率可分为Ⅰ型和Ⅱ型。Ⅰ型型）具有体积小、损耗低、电容对频率和温度稳定性高的特点，是高频电路中常用的1圆盘高频陶瓷电容器适用于谐振电路及其它电路的温度补偿、耦合和隔离。陶瓷材料作为介质电容器的介质，是由各种原材料按不同的配方经高温烧结而成。利用这一点，我们可以制造出不同介电常数和温度系数的电容器，以满足不同的要求。 陶瓷电容器可分为低压小功率和高压大功率，低压和低功率可分为Ⅰ型）和Ⅱ型（CT）。Ⅰ型型）具有体积小、损耗低、电容对频率和温度稳定性高的特点，是高频电路中常用的。II型（CT型）具有体积小、损耗大、电容对温度和频率稳定性差等特点，常用于低频电路中。 CC1圆盘高频陶瓷电容器适用于谐振电路及其它电路的温度补偿、耦合和隔离。损耗：0.025绝缘电阻：10000欧姆，试验电压：200V允许偏差：5p（+-0.5p）6-10p（+-1P）10p（J，K，m）温度系数：-150----1000ppm/C，环境温度：-25-85c，+40C相对湿度可达96（百分比），陶瓷电容器又称陶瓷电容器。它是以陶瓷为介质，涂有金属膜（一般是银），经高温烧结而成的电极。然后将导线焊接在电极上，表面涂上保护瓷漆，或用环氧树脂和树脂包封。 陶瓷材料作为介质电容器的介质，是由各种原材料按不同的配方经高温烧结而成。不同的陶瓷材料配方，其电学性能也不尽相同。利用这一点，我们可以制造出不同介电常数和温度系数的电容器，以满足不同的要求。

包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器。高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。 在晶粒发育良好的BaTiO3半导体陶瓷表面，在BaTiO3半导体陶瓷表面涂覆适当的金属氧化物（如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等），并在适当温度下在氧化条件下进行热处理。包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。薄的固溶体绝缘层的电阻率很高（高达10-1013Ω·cm）。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器（BL电容器）。 高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸钡基陶瓷具有介电系数高、交流耐压性能好等优点，但也存在电容变化率随介质温度升高而增大、绝缘电阻减小等缺点。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。它是顺电的，不存在自发极化现象。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。