电阻硫化防护的方法

片状电阻具有三层电极结构，表面电极为银电极，中间电极为镀镍层，外电极为锡涂层，表面电极材料为金属导电，二次保护涂层为非金属无导电性，边界区域的电涂层非常薄或不形成导电层，造成间隙或间隙，特别是当二次保护层的边界不规则时。基体二次保护与电极涂层之间的界面弱，侵入过程如图1所示。外部硫腐蚀气体通过二次保护层与电极的交界处渗透到表面电极，使表面电极的银产生硫化化合物Ag2S、FlqT-Ag2S(高电阻)，使电阻失去导电性。 片状电阻具有三层电极结构，表面电极为银电极，中间电极为镀镍层，外电极为锡涂层，表面电极材料为金属导电，二次保护涂层为非金属无导电性，边界区域的电涂层非常薄或不形成导电层，造成间隙或间隙，特别是当二次保护层的边界不规则时。基体二次保护与电极涂层之间的界面弱。外部硫腐蚀气体通过二次保护层与电极的交界处渗透到表面电极，使表面电极的银产生硫化化合物Ag2S、FlqT-Ag2S(高电阻)，使电阻失去导电性。 5为了避免电阻硫化，好的方法是使用抗硫化电阻(或全膜工艺电阻或插接电阻)。通过扩大二次保护涂层的设计尺寸，使底电极覆盖二次保护，使镍层和锡层在电镀过程中容易覆盖二次保护层，从而使二次保护涂层相对薄弱的边缘直接暴露在空气环境中，从而提高了产品的抗硫化能力。 设计思想是从包封和覆盖的角度出发。Rohm的抗硫化性设计，保护层采用导电树脂胶，覆盖表面电极，延伸到二次保护层。另一种抗硫化性设计是从材料的角度出发，如增加表面电极Ag/Pd浆料中钯的含量，将钯的质量分数从0.5%提高到10%以上。由于浆料中钯含量的增加，钯的稳定性提高了硫化性能。实验结果表明，该方法是有效的。

插件电阻的类型

插件项目只保留并联类型，插入的独立项目将被逐步淘汰，由同一类别的芯片集成取代。这种是低功率电阻的 对象。因此，可靠性试验指标应引起更多的重视。使用减少的数量是提高工作可靠性和寿命的重要手段。当使用时，必须降低功率。不同类型具有不同的绝缘介质和自愈机理，应力的降低程度不同，但一般在0。6次额定压力，不超过0。 绕组电阻器：大功率。集成电阻器：贴片。插件项目只保留并联类型，插入的独立项目将被逐步淘汰，由同一类别的芯片集成取代。 薄片厚膜电阻器：在小型化、大功率的方向上，随着发展方向的变化，动态调整优电阻库。这种电阻是低功率电阻的 对象。片状薄膜电阻器：推荐使用较高精度的种类。 在设计中，不要盲目追求本身的精度，即使高精度阻受到环境的影响，也会超出其范围。因此，可靠性试验指标应引起更多的重视。目前，选择的精度不超过0。0.01，常用厚膜为0.05，精度大于0.01要求电阻，建议选用厚膜，小于0.01精度要求，建议选用薄膜。没有选择每个分类电阻器的规格。如边缘规格的大电阻和小电阻的电阻专用系列。 使用减少的数量是提高电阻器工作可靠性和寿命的重要手段。电阻的功率取决于封装的大小，薄膜电阻的功率很小，一般小于1W。当使用电阻时，必须降低功率。不同类型的电阻具有不同的绝缘介质和自愈机理，应力的降低程度(主要是工作电压、功耗和工作环境温度)不同，但一般在0。6次额定压力，不超过0。75次。