包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器。高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。 在晶粒发育良好的BaTiO3半导体陶瓷表面，在BaTiO3半导体陶瓷表面涂覆适当的金属氧化物（如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等），并在适当温度下在氧化条件下进行热处理。包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。薄的固溶体绝缘层的电阻率很高（高达10-1013Ω·cm）。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器（BL电容器）。 高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸钡基陶瓷具有介电系数高、交流耐压性能好等优点，但也存在电容变化率随介质温度升高而增大、绝缘电阻减小等缺点。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。它是顺电的，不存在自发极化现象。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。

固态铝电解电容的ESR很低，能耗很小。在高温、高频、大功率的条件下，固态电容器的低ESR特性可以充分吸收电路中电力线间的高幅电压，防止其对系统的干扰。另一方面，CPU使用多种工作模式，大部分时间在工作模式转换过程中。此时，固态电容器的高速充放电特性可以在瞬间输出高峰值电流，保证足够的电源供应，保证CPU的稳定运行。液体电解电容器在长期使用中，过热导致电解液膨胀，造成电容的损失，甚至超过沸点而引起膨胀爆裂！ 高频低ESR特性是固态电解电容与液体电容差别的分水岭。固态铝电解电容的ESR很低，能耗很小。在高温、高频、大功率的条件下，固态电容器的低ESR特性可以充分吸收电路中电力线间的高幅电压，防止其对系统的干扰。 目前，CPU的功耗很大，主频率远远超过1GHz，峰值电流达到80A或以上，输出滤波器电容接近工作临界点。另一方面，CPU使用多种工作模式，大部分时间在工作模式转换过程中。当CPU从低功耗状态变为满载状态时，这种CPU的瞬时开关(一般小于5毫秒)需要从CPU电源电路的电容中获得大量的能量。此时，固态电容器的高速充放电特性可以在瞬间输出高峰值电流，保证足够的电源供应，保证CPU的稳定运行。