包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器。高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。 在晶粒发育良好的BaTiO3半导体陶瓷表面，在BaTiO3半导体陶瓷表面涂覆适当的金属氧化物（如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等），并在适当温度下在氧化条件下进行热处理。包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。薄的固溶体绝缘层的电阻率很高（高达10-1013Ω·cm）。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器（BL电容器）。 高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸钡基陶瓷具有介电系数高、交流耐压性能好等优点，但也存在电容变化率随介质温度升高而增大、绝缘电阻减小等缺点。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。它是顺电的，不存在自发极化现象。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。

陶瓷电容器种类繁多，尺寸相差很大。按使用电压可分为高压、中压和低压陶瓷电容器。介电常数可分为高温和低温。与其他电容器相比，陶瓷电容器具有工作温度高、比容量大、耐湿性好、介损小等优点，电容温度系数可在较宽范围内选择。它广泛应用于电子电路中，其消耗量相当可观。介绍了三种常见的陶瓷电容器及其特点。对于分离电容器模块，有两种基本的小型化方法：尽可能提高介质材料的介电常数；使介质层的厚度尽可能薄。 陶瓷电容器是以陶瓷为介质的电容器的总称。陶瓷电容器种类繁多，尺寸相差很大。按使用电压可分为高压、中压和低压陶瓷电容器。介电常数可分为高温和低温。与其他电容器相比，陶瓷电容器具有工作温度高、比容量大、耐湿性好、介损小等优点，电容温度系数可在较宽范围内选择。它广泛应用于电子电路中，其消耗量相当可观。介绍了三种常见的陶瓷电容器及其特点。 半导体陶瓷电容器、表层陶瓷电容器、电容器小型化的特点，即电容器能在小的体积内获得大的容量，这是电容器的发展趋势之一。对于分离电容器模块，有两种基本的小型化方法：尽可能提高介质材料的介电常数；使介质层的厚度尽可能薄。 在陶瓷材料中，铁电陶瓷的介电常数很高，但用铁电陶瓷制作普通铁电陶瓷电容器时，陶瓷介质很难变薄。首先，铁电陶瓷薄时易破碎，难以进行实际生产操作。其次，当陶瓷介质很薄时，很容易产生各种结构缺陷，因此生产过程非常困难。