包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器。高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。 在晶粒发育良好的BaTiO3半导体陶瓷表面，在BaTiO3半导体陶瓷表面涂覆适当的金属氧化物（如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等），并在适当温度下在氧化条件下进行热处理。包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。薄的固溶体绝缘层的电阻率很高（高达10-1013Ω·cm）。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器（BL电容器）。 高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸钡基陶瓷具有介电系数高、交流耐压性能好等优点，但也存在电容变化率随介质温度升高而增大、绝缘电阻减小等缺点。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。它是顺电的，不存在自发极化现象。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。

电容的作用是将直流和交流分开，用高频阻断低频。专门用于滤波，大电容滤波器低频，小电容滤波器高频滤波。一些网民生动地把过滤电容比作"池塘"。它将电压的变化转化为电流的变化，频率越高，峰值电流越大，从而缓冲电压。过滤是充放电的过程。高频电路中元件的频率特性不同于低频电路。高频电路中的无源线性元件主要是电阻(器件)、电容(器件)和电感(器件)。 有时你可以看到有一个大的电解电容平行于一个小的电容，当大电容滤波低频，小电容滤波高频。电容的作用是将直流和交流分开，用高频阻断低频。电容越大，越容易通过高频。专门用于滤波，大电容(1000μF)滤波器低频，小电容滤波器(20PF)高频滤波。一些网民生动地把过滤电容比作"池塘"。由于电容两端的电压不会改变，可见信号频率越高，衰减越大，可以生动地说，电容就像一个储藏室，不会改变几滴水的加入或蒸发所引起的水量。它将电压的变化转化为电流的变化，频率越高，峰值电流越大，从而缓冲电压。过滤是充放电的过程。 储能电容器通过整流器收集电荷，并通过转换器引线将存储的能量传输到电源的输出端。采用额定电压为40~450VDC，电容为220~1500μF的铝电解电容器。根据不同的功率要求，该装置有时采用串联、并联或组合的形式。对于功率电平超过10KW的电源，通常采用体积较大的储罐螺旋端子电容器。