包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器。高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。 在晶粒发育良好的BaTiO3半导体陶瓷表面，在BaTiO3半导体陶瓷表面涂覆适当的金属氧化物（如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等），并在适当温度下在氧化条件下进行热处理。包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。薄的固溶体绝缘层的电阻率很高（高达10-1013Ω·cm）。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器（BL电容器）。 高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸钡基陶瓷具有介电系数高、交流耐压性能好等优点，但也存在电容变化率随介质温度升高而增大、绝缘电阻减小等缺点。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。它是顺电的，不存在自发极化现象。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。

MKP电容器额定额定电压为250/275VAC，但其直流耐受电压应达到2000vdc2s，但CBB22电容器耐压标准仅为额定电压的1.6倍，其他静态电气参数相同。如果工作电容器的功率为3000W，电容本身会非常热，因此铁穿孔电容器将断开。mkp61和CBB22电容器均采用聚丙烯薄膜介质，损耗小，热值小。通过测试发现，电容器接近功率晶体管（三元管加热后散热器温度超过115℃，CBB22电容器容易故障，mkp61相对安全。当电容器与功率晶体管（热源）的距离增大时，CBB22和mkp61的电容无明显差异。 MKP电容器额定额定电压为250/275VAC（x2），但其直流耐受电压应达到2000vdc2s，但CBB22电容器耐压标准仅为额定电压的1.6倍，其他静态电气参数相同。 效率受电容器交流电压、直流电压、频率等三相影响而确定。电容器工作功率和负载功率的概念不应混淆，不能推广功率。对于频率问题，虽然许多信号都是50～60Hz，但也可在20～60KHZ范围内使用。有些线更高。其区别在于不同频率条件下的交流电压，主要取决于电容器所承载的功率不超过标准值。 如果工作电容器（mkp61和CBB22）的功率为3000W，电容本身会非常热，因此铁穿孔电容器（mkp61和CBB22）将断开。 mkp61和CBB22电容器均采用聚丙烯薄膜介质，损耗小，热值小。在实际使用电路时，温升不应超过6℃（高于环境温度）。在实际测试中，许多电路板的温升在4℃以内。如果温度升高高于此条件，则表明电容器工作功率过高，且两个电容器都容易发生故障。 Mkp61电容器具有阻燃壳和封装材料，比CBB22具有更好的隔热和散热性能。如果电容器接近功率晶体管或其他加热元件，mkp61使用更安全，如果远离热源，CBB22更经济。