“变阻器”是具有非线性伏安特性的电阻器件。主要用于电路过电压时的电压箝位，吸收剩余电流，保护敏感器件。英文名为“电压依赖电阻器”，缩写为“VDR”或“varistor”。变阻器的电阻体材料是半导体，所以它是各种半导体电阻器。氧化锌压敏电阻器是目前应用广泛的压敏电阻器。当施加在变阻器上的电压超过其阈值时，流过它的电流就会激增，这相当于电阻小的电阻器。 “变阻器”是具有非线性伏安特性的电阻器件。主要用于电路过电压时的电压箝位，吸收剩余电流，保护敏感器件。英文名为“电压依赖电阻器”，缩写为“VDR”或“varistor”。变阻器的电阻体材料是半导体，所以它是各种半导体电阻器。氧化锌压敏电阻器是目前应用广泛的压敏电阻器。其主要物质是由二价元素锌（Zn）和六价元素氧（o）组成。所以从材料的角度来看，ZnO压敏电阻是“Ⅱ-Ⅵ氧化物半导体”。在台湾，压敏电阻被称为“浪涌吸收器”，有时也被称为“电击（浪涌）抑制器（吸收器）”。 变阻器的工作原理是当施加在变阻器上的电压低于其阈值时，流过它的电流很小，相当于一个具有无限电阻的电阻。换言之，当施加到它的电压低于其阈值时，它相当于一个关闭状态开关。 当施加在变阻器上的电压超过其阈值时，流过它的电流就会激增，这相当于电阻小的电阻器。换言之，当施加到它的电压高于其阈值时，它相当于一个闭合状态开关。

正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。 一步：选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的大电压，即大VDS。知道MOS管能承受的大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如电机或变压器）诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。 二步：确定额定电流 二步是选择MOS管的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电流）流过器件。一旦确定了这些条件下的大电流，只需直接选择能承受这个大电流的器件便可。 选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2&TImes;RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RDS（ON）就会越高。对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易（较为普遍），而对于工业设计，可采用较高的电压。注意RDS（ON）电阻会随着电流轻微上升。关于RDS（ON）电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。